MT53E128M32D2DS-053 vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E128M32D2DS-053 par Micron Technology et MT53D512M32D2DS-053 WT:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E128M32D2DS-053 - 4Gb LPDDR4/LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E128M32D2DS-053 ✓ ActifMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E128M32D2DS-053 | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,55 | $6,05 |
| Type de mémoire | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 128M x 32 | 512M x 32 |
| Débit de données | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) | — |
| Speed Grade | -053 | -053 |
| Boîtier | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | 0.6 V | — |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | 1.10 V | — |
| VDD | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Configuration | DDP (double-die package) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Variant | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available | — |
| Statut RoHS | Compliant | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] | Auto refresh and self refresh |
| Access Type | Synchronous, bank-group burst | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Largeur du bus de données | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Self-Refresh | — | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |